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图甲所示是工业上探测物件表面层内部是否存在缺陷的涡流探伤技术的原理图。其原理是用...

图甲所示是工业上探测物件表面层内部是否存在缺陷的涡流探伤技术的原理图。其原理是用通电线圈使物件内产生涡电流,借助探测线圈测定涡电流的改变,从而获得物件内部是否断裂及位置的信息。如图乙所示的是一个带铁芯的线圈L、开关S和电源用导线连接起来的跳环实验装置,将一个套环置于线圈L上且使铁芯穿过其中,闭合开关S的瞬间,套环将立刻跳起。对以上两个实例的理解正确的是   

A. 涡流探伤技术运用了电流的热效应,跳环实验演示了自感现象

B. 能被探测的物件和实验所用的套环必须是导电材料

C. 以上两个实例中的线圈所连接的电源都必须是交流电源

D. 以上两个实例中的线圈所连接的电源也可以都是稳恒电源

 

B 【解析】 涡流探伤技术其原理是用电流线圈使物件内产生涡电流,借助探测线圈测定涡电流的改变;跳环实验演示线圈接在直流电源上,闭合开关的瞬间,穿过套环的磁通量仍然会改变,套环中会产生感应电流,会跳动,属于演示楞次定律。故A错误。无论是涡流探伤技术运,还是演示楞次定律,都需要产生感应电流,而感应电流产生的条件是在金属导体内。故B正确。金属探伤时,是探测器中通过交变电流,产生变化的磁场,当金属处于该磁场中时,该金属中会感应出涡流;演示楞次定律的实验中,线圈接在直流电源上,闭合开关的瞬间,穿过套环的磁通量仍然会改变,套环中会产生感应电流,会跳动。故CD错误。  
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霍尔元件是能够把磁感应强度这个磁学量转换为电压这个电学量的电学元件。其结构和原理如图所示,在一个很小的矩形半导体薄片上,制作四个电极EFMN,它就成了一个霍尔元件。 EF 间通入恒定的电流 I,同时外加与薄片垂直的磁场B,则薄片中的载流子就在洛伦兹力的作用下,向着与电流和磁场都垂直的方向漂移,使MN 间出现了电压,称为霍尔电压UH。当磁场方向和电流方向如图所示时,关于MN极板电势的高低,下列说法正确的是

A. 不管载流子带电性质如何,电极N的电势一定高于电极M

B. 不管载流子带电性质如何,电极N的电势一定低于电极M

C. 只有当载流子为负电荷时,电极M的电势才高于电极N

D. 只有当载流子为正电荷时,电极M的电势才高于电极N

 

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某行星外围有一圈厚度为d的光带,简化为如图甲所示模型,R为该行星除光带以外的半径。现不知光带是该行星的组成部分还是环绕该行星的卫星群,当光带上的点绕行星中心的运动速度v,与它到行星中心的距离r,满足下列哪个选项表示的图像关系时,才能确定该光带是卫星群

A.  B.  C.  D.

 

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A. t1= t2,摆线碰钉子的瞬间,小球的速率变小

B. t1> t2,摆线碰钉子的瞬间,小球的速率变小

C. t1> t2,摆线碰钉子的瞬间,小球的速率不变

D. t1= t2,摆线碰钉子的瞬间,小球的速率不变

 

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A. K极中有无光电子射出与入射光频率无关

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C. 只有光电管加正向电压时,才会有光电流

D. 光电管加正向电压越大,光电流强度一定越大

 

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已知铜的摩尔质量为,铜的密度为,阿伏伽德罗常数为,下列说法正确的是(    ).

A. 个铜原子的质量为

B. 个铜原子的质量为

C. 个铜原子所占的体积为

D. 个铜原子所占的体积为

 

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