霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879年发现的，利用霍尔效应制成的霍尔位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿x轴方向均匀变化的磁场，磁感应强度大小B=B0+kx （B0、k均为常数,且k>0）。在传感器中通以如图所示的电流I，则当传感器沿x轴正方向运动时（ ）
A. 霍尔位移传感器的上、下两表面的电势差U越来越大
B. k越大，位移传感器的灵敏度
越高
C. 若该霍尔位移传感器是利用电子导电，则其上表面电势高
D. 通过该传感器的电流越大，则其上、下两表面间的电势差U越小
某理想自耦变压器接入电路中的示意图如图甲所示,图乙是其输入电压
,电阻
A. 通过
B. 电流表
的示数为
C. 此时变压器的输入功率为
D. 将滑动触头
的示数变小
1922年英国物理学家阿斯顿因质谱仪的发明、同位素和质谱的研究荣获了诺贝尔化学奖．若速度相同的一束粒子由极板间左端射入质谱仪后分裂为a、b、c三束，分别运动到磁场边界的胶片上，它们的运动轨迹如图所示．则下列相关说法中正确的是( )
A. 极板P1带正电
B. a离子的电荷量最大
C. 所有离子从射入到打在胶片上所用时间相等
D. 若a、b、c离子为氢的三种同位素原子核，则c离子为氚核
如图,水平向右的匀强电场中,一带电粒子从A点以竖直向上的初速度开始运动,经最高点B后回到与A在同一水平线上的C点,粒子从A到B过程中克服重力做功2J,电场力做功3J,则( )
A. 粒子在B点的动能比在A点多1J
B. 粒子在C点的电势能比在B点少3J
C. 粒子在C点的机械能比在A点多12J
D. 粒子在C点的动能为14J
如图所示,水平地面上方矩形区域内存在方向垂直纸面向里的匀强磁场,两个边长相等的单匝闭合正方形线圈Ⅰ和Ⅱ,分别用相同材料、不同粗细的导线绕制(Ⅰ为细导线)。两线圈在距磁场上界面h高处由静止开始自由下落,再进入磁场,最后落到地面,运动过程中,线圈平面始终保持在竖直平面内且下边缘平行于磁场上边界。设线圈Ⅰ、 Ⅱ落地时的速度大小分别为v1、v2,在磁场中运动时产生的热量分别为Q1、Q2。不计空气阻力,已知线圈电阻与导线长度成正比,与导线横截面积成反比,则( )
A. v1<v2,Q1<Q2 B. v1=v2,Q1=Q2
C. v1<v2,Q1=Q2 D. v1=v2,Q1<Q2
粗细均匀的电阻丝围成图所示的线框，置于正方形有界匀强磁场中，磁感应强度为B，方向垂直线框平面向里，图中ab=bc=2cd=2de=2ef=2fa=2L.现使线框以同样大小的速度v匀速沿四个不同方向平动进入磁场，并且速度方向始终与线框先进入磁场的那条边垂直，则在通过如图所示位置时，下列说法中正确的是 ( )
A. a、b两点间的电势差图①中最大
B. a、b两点间的电势差图②中最大
C. 回路电流图③中最大
D. 回路电流图④中最小
