集成电路(芯片)是一种把电路小型化的方式，并制造在半导体晶圆表面上，芯片的基础工作在于半导体的工艺，其中包括在晶圆中注入离子，生成P、N类半导体．如图所示，在离子注入工艺口，初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为d的匀强磁场区域，其中离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．已知P+和P3+的质量均为m，电荷量分别为e和3e(e表示元电荷)
（1）求匀强磁场的磁感应强度B的大小：(用题给符号表示)
（2）求P3+在磁场中转过的角度Φ。
某同学在练习使用多用电表时连接的电路如甲图所示
（1）若旋转选择开关，使尖端对准直流电流挡，此时测得的是通过________（选填“R1”或“R2”）的电流；
（2）若断开电路中的电键，旋转选择开关使其尖端对准欧姆档，则测得的是_________。
A. R1的电阻 B.R2的电阻
C.R1和R2的串联电阻 D.R1和R2的并联电阻
（3）将选择倍率的旋钮拨至“×10 Ω”的档时，测量时指针偏转角很大，为了提高测量的精确度，应将选择开关拨至_________档（选填“ ×100Ω”或“ ×1 Ω”），将两根表笔短接调节调零旋钮，使指针停在0 Ω刻度线上，然后将两根表笔分别接触待测电阻的两端，若此时指针偏转情况如图所示，则所测电阻大小为________ Ω。
（4）乙图是该多用表欧姆档“×100 Ω”内部电路示意图，电流表满偏电流为1.0mA、内阻为10Ω，则该欧姆档选用的电池电动势应该为________V。
气垫导轨上相隔一定距离的两处安装有两个光电传感器A、B，AB间距为L，滑块P上固定一遮光条，P与遮光条的总质量为M，若光线被遮光条遮挡，光电传感器会输出高电压，两光电传感器采集数据后与计算机相连。滑块在细线的牵引下向左加速运动，遮光条经过光电传感器A、B时，通过计算机可以得到如图乙所示的电压U随时间t变化的图象。
（1）实验前，按通气源，将滑块（不挂钩码）置于气垫导轨上，轻推滑块，当图乙中的t1______t2（选填“>”、“=”或“<”）时，说明气垫导轨已经水平。
（2）用螺旋测微器测遮光条宽度d，测量结果如图丙所示，则d=_______mm。
（3）将滑块P用细线跨过气垫导轨左端的定滑轮与质量为m的钩码Q相连，将滑块P由图甲所示位置释放，通过计算机得到的图象如图乙所示。利用测定的数据，当关系式
=_____成立时，表明在上述过程中，滑块和钩码组成的系统机械能守恒。（重力加速度为g，用题中给定的物理量符号表达）
如图所示，水平光滑的平行金属导轨，左端接有电阻R，匀强磁场B竖直向下分布在导轨所在的空间内，质量一定的金属棒PQ垂直导轨放置。今使棒以一定的初速度v0向右运动，当其通过位置a、b时，速率分别为va、vb，到位置c时棒刚好静止。设导轨与棒的电阻均不计，a到b与b到c的间距相等。则金属棒在由a到b和由b到c的两个过程中（ ）
A. 通过棒横截面积的电荷量相等
B. 棒动能变化量相等
C. 回路中产生的内能相等
D. 安培力冲量相等
高压输电是减小输电电能损耗和电压损失的有效途径，中国已投产运行的1000kV特高压输电是目前世界上电压最高的输电工程.假设甲、乙两地原采用500kV的超高压输电，输电线上损耗的电功率为△P=100kW,损失的电压为△U=40V.在保持输送电功率和输电线电阻都不变的条件下，改用1000kV特高压输电,若不考虑其他因素的影响, 输电线上损耗的电功率变为△P'，损失的电压变为△U'，则
A. △P'=25kW B. △P' = 50kW C. △U'=10V D. △U' = 20V
如图所示，MN为同一竖直线上相距为h的两点，空间存在竖直平面内方向未知的匀强电场，一带点小球（m，+q）从M点以速度
水平抛出，刚好能够通过N点，过N点时速度大小
，重力加速度为g，则
A. 电场强度E=
B. 电场强度E=
C. 小球从M到N点用时t=
D. 小球从M到N点用时t=
