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如图所示,半圆玻璃砖的半径R=3cm,折射率为n=,直径AB与屏幕垂直并接触于A...

如图所示,半圆玻璃砖的半径R=3cm,折射率为n=,直径AB与屏幕垂直并接触于A点。激光a以入射角i=30°射向半圆玻璃砖的圆心0,结果在水平屏幕MN上出现两个光斑。

(1)求两个光斑之间的距离;

(2)改变入射角,使屏MN上只剩一个光斑,求此光斑离A点的最长距离。

 

(1)9.7cm(2)3cm 【解析】 (2)①设折射角为r,根据折射定律有: 解得 由几何知识得两个光斑PQ之间的距离: ②入射角增大的过程中,当发生全反射时屏MN上只剩一个光斑,此光斑离A最远时,恰好发生全反射,入射角等于临界角: 则有: 代入数据解得:  
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考点分析:
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关于振动和波动,下列说法正确的是____

A.做简谐振动的物体,经过同一位置时,加速度可能不同   

B.在受迫振动中,驱动力的频率不一定等于物体的固有频率   

C.在波的干涉中,振动加强的点不一定处在波峰或波谷的叠加处   

D.波源与观察者互相靠近或者互相远离时,接收到的频率会发生变化   

E.在波的传播方向上对平衡位置的位移始终相同的质点间距离等于波长

 

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如图所示,一总长度为L导热性能良好的汽缸放置在水平面上,开口向左。用横截面积为S的活塞将一定质量的理想气体封闭在汽缸内,活塞静止时距汽缸底部L/2 。现保持温度不变,缓慢转动汽缸.使其开口竖直向上放置,活塞最终静止时距汽缸底部L/4。已知大气压强为po,不计活塞厚度,活塞与汽缸无摩擦接触且气密性良好。重力加速度为g

(1)求活塞质量m

(2)现用外力F缓慢竖直向上拉动活塞,活塞到达汽缸上边缘时,汽缸恰好对地面无压力。求此时所施加外力F的大小。

 

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下列说法中正确的是      

A. 一定质量的理想气体体积增大时,其内能一定减少

B. 气体的温度降低,某个气体分子热运动的动能可能增加

C. 气体对器壁的压强是由大量气体分子对器壁不断碰撞而产生的

D. 从单一热源吸收热量并全部用来对外做功是不可能实现的

E. 在“用油膜法估测分子的大小”的实验中,将油酸酒精溶液的体积直接作为油酸的体积进行计算,会使分子直径计算结果偏大

 

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竖直平面内有固定的半径R=0.15m的光滑半圆轨道COD,圆心O下方有水平向右的匀强电场,上方无电场,传送带AB以很大的速度逆时针转动,左端B与圆形轨道上端C在同一竖直线上。带电滑块(m+q)与传送带间的摩擦因数μ=0.1,将滑块无初速度从A端释放,滑块滑过传送带后恰好可以沿着圆形轨道内侧运动,然后滑上静止于粗糙地面上的木板M,已知m=1kgM=2kgM的长度l2=1.8m,重力加速度g=10m/s2,电场强度Mm之间的摩擦因数μ1=0.7M与地面之间的摩擦因数为μ2=1/6,木板右端与固定挡板之间的初始距离PQl3,滑块和木板撞到固定挡板速度都会立即变为零。求:

1)传送带的长度l1

2)滑块刚滑上木板时的速度;

3)滑块滑到D点后Mm之间的摩擦生热。

 

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集成电路(芯片)是一种把电路小型化的方式,并制造在半导体晶圆表面上,芯片的基础工作在于半导体的工艺,其中包括在晶圆中注入离子,生成PN类半导体.如图所示,在离子注入工艺口,初速度可忽略的磷离子P+P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为d的匀强磁场区域,其中离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.已知P+P3+的质量均为m,电荷量分别为e3e(e表示元电荷)

1)求匀强磁场的磁感应强度B的大小:(用题给符号表示)

2)求P3+在磁场中转过的角度Φ。

 

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