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下图为一多用电表示意图,其中P、K、T为三个可调节的部件.现用这一电表测量一个大...

下图为一多用电表示意图,其中P、K、T为三个可调节的部件.现用这一电表测量一个大约是2 kΩ~4 kΩ的定值电阻,部分操作步骤如下:

(1)调节可调部件_______,使电表指针指向最左端刻度线上.

(2)调节可调部件_______,使它的尖端指向Ω(欧姆)挡×100 Ω位置.

(3)将红黑表笔分别插入正、负插孔中,笔尖相互接触,调节可调部件_______,使电表指针指向最右侧刻度线处.

 

P K T 【解析】 多用电表测量电阻时,先进行机械校零,需将选择开关旋到欧姆档某一位置,再进行欧姆调零,欧姆调零后,测量电阻读出示数; 多用电表测电阻的实验步骤: (1)调节机械调零旋钮P,使电表指针指向最左端刻度线上; (2)调节选择开关K,使它的尖端指向×100Ω位置; (3)将红、黑表笔分别插入正、负插孔中,两笔尖接触,调节欧姆调零旋钮T,使电表指针指向最右侧刻度线处.
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考点分析:
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如图所示,在一个半径为R的圆形区坡内存在微感应强度为B、方向垂直于纸面向里的匀强磁场,一个比荷为的正粒子,从A点沿与AO夹角的方向射入匀强磁场区域,最终从B点沿与AO垂直的方向离开磁场。若粒子在运动过程中只受磁场力作用,则  

A. 粒子运动的轨道半径

B. 粒子在磁场区域内运动的时间

C. 粒子的初速度的

D. 若仅改变初速度的方向,该粒子仍能从B点飞出磁场区域

 

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A.热敏电阻在温度越高时,电阻越大

B.热敏电阻在温度越高时,电阻越小

C.半导体材料温度升高时,导电性能变差

D.半导体材料温度升高时,导电性能变好

 

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A. 磁场方向竖直向上

B. 磁场方向竖直向下

C. ab所受支持力的大小为mgcosθ

D. ab所受安培力的大小为mgtanθ

 

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A.随着所加电压的增大,小灯泡的电阻不变

B.对应P点,小灯泡的电阻为

C.对应P点,小灯泡的电阻为

D.对应P点,小灯泡的功率为图中矩形PQOM所围面积大小

 

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A.大于9V B.等于9V

C.小于9 D.无法确定

 

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