一定质量的理想气体经历了温度缓慢升高的变化,如图所示,p-T和V-T图各记录了其部分变化过程,试求:
①温度600K时气体的压强.
②在p-T图象上将温度从400K升高到600K的变化过程补充完整.
下列说法中正确的是( )
A.液晶分子的空间排列是稳定的,具有各向异性
B.对气体做功,不一定会使该气体的内能增加
C.相对湿度等于空气中水蒸气的分压与该温度下水的饱和汽压的比值
D.对能源的过度消耗将使自然界的能量不断减少,形成“能源危机”
E.生产半导体器件时,需要在纯净的半导体材料中掺入其他元素,可以在高温条件下利用分子的扩散来完成
唐飞同学设计的滑撞实验装置如图所示,竖直平面内轨道PMNQ,MN是一段半径R=0.5m、圆心角θ=106°的光滑圆弧,M、N在同一水平线上,倾斜直线轨道PM、QN与圆弧轨道相切于M、N两点。滑块A的质量为m,滑块B的质量为3m,A、B与PM、QN轨道的滑动摩擦因数均为。实验时先将滑块A静置于圆弧底部,滑块B从PM轨道上的P点自由释放,P点距MN的竖直高度H=4m,滑块B滑到底部与滑块A相撞且在很短的时间锁定在一起。()求:
(1)滑块B与滑块A相撞前瞬间B的速度大小;
(2)相撞过程中滑块A受到的平均冲力是它重力的多少倍;
(3)相撞后,AB一起在PM和QN轨道上滑动的总路程L。
如图所示,EF与GH间为一无场区.无场区左侧A、B为相距为d、板长为L的水平放置的平行金属板,两板上加某一电压从而在板间形成一匀强电场,其中A为正极板.无场区右侧为一点电荷Q形成的电场,点电荷的位置O为圆弧形细圆管CD的圆心,圆弧半径为R,圆心角为120°,O、C在两板间的中心线上,D位于GH上.一个质量为m、电荷量为q的带正电粒子以初速度v0沿两板间的中心线射入匀强电场,粒子出匀强电场经无场区后恰能进入细圆管,并做与管壁无相互挤压的匀速圆周运动.(不计粒子的重力、管的粗细)求:
(1)O处点电荷的电性和电荷量;
(2)两金属板间所加的电压.
某同学用如图甲所示装置通过半径相同的A、B两球的碰撞来寻找碰撞中的不变量,图中PQ是斜槽,QR为水平槽,实验时先使A球从斜槽上某一固定位置C由静止开始滚下,落到位于水平地面的记录纸上,留下痕迹,重复上述操作10次,得到10个落点痕迹,再把B球放在水平槽上靠近槽末端的地方,让A球仍从位置C由静止开始滚下,和B球碰撞后,A、B球分别在记录纸上留下各自的落点痕迹,重复这种操作10次,图中O是水平槽末端口在记录纸上的垂直投影点,P、为未放被碰小球B时A球的平均落点,M为与B球碰后A球的平均落点,N为被碰球B的平均落点.若B球落点痕迹如图乙所示,其中米尺水平放置,且平行于OP,,米尺的零点与O点对齐.(注意MA>MB)
(1)碰撞后B球的水平射程应为_____cm
(2)在以下选项中,哪些是本次实验必须进行的测量?答:____________(填选项号)。
A.测量A球或B球的直径
B.测量A球和B球的质量
C.水平槽上未放B球时,测量A球落点位置到O点的距离
D.A球与B球碰撞后,测量A球落点位置到O点的距离
E.测量G点相对于水平槽面的高度
(3)、实验所需验证的表达式为:___________。
在测量金属丝电阻率的实验中,可供选用的器材如下:
待测金属丝:Rx(阻值约4Ω,额定电流约0.5A);
电压表:V(量程3V,内阻约3kΩ);
电流表:A1(量程3A,内阻约0.05Ω);A2(量程0.6A,内阻约0.2Ω);
电源:E1(电动势3V,内阻不计);E2(电动势12V,内阻不计);
滑动变阻器:R(最大阻值约20Ω);
螺旋测微器;毫米刻度尺;开关S;导线。
①用螺旋测微器测量金属丝的直径,示数如图所示,读数为________mm。
②若滑动变阻器采用限流接法,为使测量尽量精确,电流表应选_______、电源应选_________(均填器材代号)