如图所示，在直角坐标系的第一象限内有垂直纸面向里的匀强磁场，正、负离子分别以相同的速度从原点O进入磁场，进入磁场的速度方向与x轴正方向夹角为30°，已知正离子运动的轨迹半径大于负离子，则可以判断出
A.正离子的比荷小于负离子
B.正离子在磁场中受到的向心力大于负离子
C.正离子在磁场中运动的时间小于负离子
D.正负离子离开磁场时偏转的角度之比为2︰1
一个半径为r1、阻值为R、匝数为n的圆形金属线圈与阻值为2R的电阻R1连接成如图 （a）所示的回路。在线圈中半径为r2的圆形区域内存在匀强磁场，磁场方向垂直于线圈平面向里，磁感应强度B随时间t变化的关系如图（b）所示，导线电阻忽略不计，则流过R1的电流大小与ab两点电势高低判断正确的是
A.
，
B.
，
C.，
D.，
如图所示，两平行金属导轨CD、EF间距为L，与电动势为E，内阻为r的电源相连，质量为m、电阻为R的金属棒ab垂直于导轨放置构成闭合回路，回路平面与水平面成θ角，回路其余电阻不计。为使ab棒静止，需在空间施加的匀强磁场磁感强度的最小值及其方向分别为
A.
，水平向右
B.
，垂直于回路平面向下
C.
，竖直向下
D.
，垂直于回路平面向上
如图所示，在两等量异种点电荷连线上有D、E、F三点，且DE=EF。K、M、L分别为过D、E、F三点的等势面。一电子从a点射入电场，运动轨迹如图中实线所示，电子从a点到b点电场力做功的数值为|Wab|，从b点到c点电场力做功的数值为|Wbc|，则
A.|Wab|=|Wbc|
B.|Wab|>|Wbc|
C.粒子由a点到b点，动能增大
D.a点的电势较b点的电势低
如图甲是我国自行研制成功的中央处理器（CPU）芯片“龙芯”1号，图乙中，R1和R2是两个材料相同、厚度相同、表面为正方形的芯片内部电阻，R2的尺寸远远小于R1的尺寸。若通过两电阻的电流方向如图所示，则R1、R2关系判断正确的是
A.R1=R2
B.R 1< R 2
C.R 1> R 2
D.无法确定
如图，一平行电容器两极板之间充满陶瓷介质，现闭合开关S待电路稳定后再断开S，此时若将陶瓷介质移出，则电容器
A.极板上的电荷量变大，极板间的电场强度变大
B.极板上的电荷量不变，极板间的电场强度变小
C.两极板间电压变大，极板间的电场强度变大
D.两极板间电压变小，极板间的电场强度变小
