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霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向的磁场,磁感应强度B=B0+...

霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向的磁场,磁感应强度BB0kzB0k均为常数),将传感器固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图中箭头所示),当物体沿z轴方向移动时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向上的上、下表面的电势差U也不同。则(  )

A.磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大

B.k越大,传感器灵敏度越大

C.若图中霍尔元件是电子导电,则上表面电势高于下表面电势

D.电流I取值越大,上、下表面的电势差U越小

 

ABC 【解析】 AD.最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡,设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c,有 电流的微观表达式为 I=nqvS=nqvbc 所以 . B越大,上、下表面的电势差U越大。电流越大,上、下表面的电势差U越大。故A正确,D错误。 B.k越大,根据磁感应强度B=B0+kz,知B随z的变化越大,根据.知,U随z的变化越大,即传感器灵敏度()越高。故B正确。 C.霍尔元件中移动的是自由电子,根据左手定则,电子向下表面偏转,所以上表面电势高。故C正确。 故选ABC。  
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下列电路中属于逻辑电路的是(

A. B.

C. D.

 

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真空中三个点电荷位于一条直线上,都只在电场力下处于静止,其中两个电荷停在M、N两点,所带电量如图所示,关于第三个电荷的电性和所停的位置,下列说法正确的是(  )

A.为正电荷,可能停在A

B.为正电荷,可能停在B

C.为负电荷,可能停在B

D.为负电荷,可能停在C

 

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A.7V、+2V和+1V

B.7V、-2V和+1V

C.7V、+2V和-1V

D.7V、-2V和-1V

 

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电荷量为3e的正离子,自匀强磁场a点如图射出,当它运动到b点时,打中并吸收了原处于静止状态的一个电子,若忽略电子质量,则接下来离子的运动轨迹是( )

A. B.

C. D.

 

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如图所示是某直流电路中电压随电流变化的图象,其中ab分别表示路端电压、负载电阻上电压随电流变化的情况,下列说法正确的是

A.阴影部分的面积表示电源输出功率

B.阴影部分的面积表示电源的内阻上消耗的功率

C.当满足时,电源的输出功率最大

D.当满足时,电源效率小于50

 

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