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关于光电效应,下列说法正确的是( ) A.入射光的光强一定时,频率越大,单位时间...

关于光电效应,下列说法正确的是(  )

A.入射光的光强一定时,频率越大,单位时间内逸出的光电子数就越多

B.逸出功W0和极限频率vc之间应满足关系式W0=hvc

C.用同一种单色光照射同一种金属,那么从金属中逸出的所有光电子的初动能不一定相同

D.用同一种单色光先后照射两种不同金属的表面都能发生光电效应,则遏止电压相同

 

BC 【解析】 A.光的强度等于单位时间发出光电子数目与光子能量的乘积,入射光光强一定时,频率越高,光子能量越大,则单位时间内逸出的光电子数就越少,故A错误。 B.逸出功W0和极限频率vc之间应满足关系式W0=hvc.故B正确。 C.根据光电效应方程EKm=hγ-W0,可知,用同一种单色光照射同一种金属,从金属中逸出的所有光电子的最大初动能一定相同,但逸出的所有光电子的初动能不一定相同,故C正确。 D.设遏止电压为Uc,由动能定理得 -eUc=0-EKm 结合EKm=hγ-W0,得 不同金属逸出功W0不同,则遏止电压不同,故D错误。 故选BC。  
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考点分析:
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如图所示,A图为平行板电容器内部电场;B图为等值异号点电荷的电场,其中O为两点电荷连线的中点且Oa=ObC图为孤立正点电荷的电场,ab为以点电荷为圆心的圆上的点;D图为等量正点电荷的电场,ab为两点电荷连线的中垂线上的点,且Oa=Ob。则下面四幅图中ab两点的电场强度相同但电势不同的是(  )

A. B.

C. D.

 

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如图所示,平行金属导轨的距离为d,左端接一电源,电动势为E,匀强磁场的磁感应强度为B,方向垂直于导轨所在平面.一根金属棒ab与导轨成θ角放置,整个回路的总电阻为R,当接通开关S瞬间,金属棒所受的安培力大小为

A. B.

C. D.

 

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在静电场中,下列有关电场与电势的说法正确的是(   

A. 电场线越密的地方,电场强度越强,电势也越高

B. 电场线越密的地方,电场强度越弱,电势也越低

C. 沿着电场线的方向,电势越低

D. 沿着电场线的方向,电场强度越弱

 

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关于磁感应强度,下列说法正确的是(  )

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C.磁感应强度B是矢量,方向与通过该点的磁感线的切线方向垂直

D.在磁场中确定的地方磁感应强度B是确定的,与FIL的大小无关

 

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利用某原子核俘获中子发生核反应,可获得氚核,氚是重要的核聚变原料。具体的核反应方程为,则下列说法正确的是(  )

A.此核反应为α衰变

B.X的中子数为2

C.此核反应过程有质量亏损

D.4.9MeVX的结合能

 

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