在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后...

在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+ (　　)

A. 在电场中的加速度之比为1:1

B. 在磁场中运动的半径之比为

C. 在磁场中转过的角度之比为1:2

D. 离开电场区域时的动能之比为1:3

BCD 【解析】 A．两个离子的质量相同，其带电量是1:3的关系，所以由可知，其在电场中的加速度是1:3，故A错． B．离子在离开电场时速度，可知其速度之比为1:．又由知，，所以其半径之比为:1，故B正确． C．由B的分析知道，离子在磁场中运动的半径之比为:1，设磁场宽度为L，离子通过磁场转过的角度等于其圆心角，所以有，则可知角度的正弦值之比为1:，又P+的角度为30°，可知P3+角度为60°，即在磁场中转过的角度之比为1:2，故C正确． D．离子在电场中加速时，据动能定理可得:，两离子离开电场的动能之比为1:3，故D正确．

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考点分析：

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如图所示，足够长的U型光滑金属导轨平面与水平面成θ角，其中MN与PQ平行且间距为L，N、Q间接有阻值为R的电阻，匀强磁场垂直导轨平面，磁感应强度为B，导轨电阻不计。质量为m的金属棒ab由静止开始沿导轨下滑，并与两导轨始终保持垂直且接触良好，ab棒接入电路的电阻为r，当金属棒ab下滑距离x时达到最大速度v，重力加速度为g，则在这一过程中（　　）