如图所示，在水平桌面上放置一周长为L，质量为m的近超导体（导体仍有微小电阻）圆环...

如图所示，在水平桌面上放置一周长为L，质量为m的近超导体（导体仍有微小电阻）圆环，圆环的横截面面积为S，电阻率为ρ．一磁铁在外力作用下，从圆环正上方下移至离桌面高H处撤去外力，磁铁恰好受力平衡，此时圆环中的感应电流大小为I，其所在处磁场的磁感应强度大小为B，方向与水平方向成角，经过一段时间后，磁铁会缓慢下移至离桌面高为h的位置，在此下移过程圆环中的感应电流可认为保持不变，设重力加速度g，则

A.超导圆环的电流方向从上往下看为顺时针方向

B.磁铁在H处受力平衡时，桌面对超导圆环的支持力为mg+BILcosθ

C.磁铁下移过程，近超导圆环产生热量为BILcosθ（H–h）

D.磁铁下移过程，通过近超导圆环的电荷量为

BCD 【解析】从上往下看，逆时针电流．故A错误；圆环所受到的安培力F=BIL，其竖直方向的分量F1=Fcosθ=BILcosθ，以圆环为研究对象，由平衡条件，得N=mg+BILcosθ，故B正确；设永磁体的质量为M，以永磁铁为研究对象，由平衡条件可知Mg=BILcosθ；由能量守恒，永磁铁减少的重力势能等于圆环中产生的焦耳热．Q=Mg（H-h）=BILcosθ•（H-h），故C正确；由焦耳定律Q=I2R•△t 解得，因下移过程圆环中的电流可认为保持不变，所以通过超导圆环的电荷量，故D正确；

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考点分析：

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如图所示，均匀带正电的圆环所带的电荷量为Q，半径为R，圆心为O，A、B、C为垂直于圆环平面且过圆环中心的轴上的三个点，已知BC＝2AO＝2OB＝2R，当在C处放置一点电荷时(不影响圆环的电荷分布情况，整个装置位于真空中)，B点的电场强度恰好为零，则由此可得A点的电场强度大小为

A. B. C. D.

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质量为 M 的均匀木块静止在光滑的水平面上，木块左右两侧各有一位拿着完全相同的步枪和子弹的射击手，子弹质量为m，首先左侧的射击手开枪，子弹水平射入木块的深度为 d1 ，子弹与木块相对静止后，右侧的射击手开枪，子弹水平射入木块的深度为d2，如图所示，设子弹均未射穿木块，且两子弹与木块之间的作用力大小相等。当两颗子弹均相对木块静止时，两子弹射入的深度之比为（）