如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下.边长为l的正方形闭合金属线框abcd,以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动,经过一段时间线框通过了磁场区域.已知l<L,甲、乙两位同学对该过程进行了分析,当线框的ab边与MN重合时记为t=0,分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线,如图2、图3所示,图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积.关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系,下列说法正确的是
A.图2正确,且S1>S2 B.图2正确,且S1=S2
C.图3正确,且S3>S4 D.图3正确,且S3=S4
如图中是匀强磁场里的一片金属片,其平面与磁场方向平行,一个粒子从某点以与垂直的速度射出,动能是,该粒子在磁场中的运动轨迹如图所示。今测得它在金属片两边的轨道半径之比是,若在穿越金属板过程中粒子受到的阻力大小及电荷量恒定,则下列说法正确的是
A.该粒子的动能增加了
B.该粒子的动能减少了
C.该粒子做圆周运动的周期减小
D.该粒子最多能穿越金属板6次
一切物体的分子都在做永不停息的无规则热运动,但大量分子的运动却有一定的统计规律。氧气分子在0℃或100℃温度下单位速率间隔的分子数占总分子数的百分比(以下简称占比)随气体分子速率的变化如图中两条曲线所示。对于图线的分析,下列说法正确的是( )
A.如果同样质量的氧气所占据体积不变,100℃温度下氧气分子在单位时间与单位面积器壁碰撞的次数较0℃时更多
B.100℃温度下,速率在200~300m/s的那一部分分子占比较 0℃的占比多
C.由于分子之间的频繁碰撞,经过足够长时间,各种温度下的氧气分子都将比现在速率更趋于一样
D.温度升高,所有分子的动能都增大
某研究性学习小组描绘了三种电学元件的伏安特性曲线,如图所示,下列判断中正确的是
A.图甲反映该电学元件的导电性能随电压的增大而增强
B.图乙反映该电学元件的导电性能随温度的升高而减弱
C.图丙反映该电学元件加正向电压和反向电压时导电性能一样
D.图丙反映该电学元件如果加上较高的反向电压(大于)时,反向电流才急剧变大
空间有一沿x轴分布的电场,其场强E随x变化的图像如图所示,规定场强沿x轴正方向为正方向。x1和x2为x轴上的两点。一负电荷从x1运动到x2,则该电荷的电势能( )
A.先减小后增大
B.先增大后减小
C.逐渐增大
D.逐渐减小
在均匀介质中坐标原点O处有一波源做简谐运动,其表达式y 5sin(),它在介质中形成的简谐横波沿x轴正方向传播,某时刻波刚好传播到x=12m处,形成的波形图像如图所示,则( )
A.这一列波的波速等于12m/s
B.波源开始振动时的运动方向沿y轴负方向
C.M点在此后第3s末的振动方向沿y轴正方向
D.此后M点第一次到达y=5m处所需时间是2s