如图所示，矩形线圈abcd在匀强磁场中可以分别绕垂直于磁场方向的轴P1和P2以相同的角速度匀速转动，当线圈平面转到与磁场方向平行时( )
A.线圈绕P1转动时的电流等于绕P2转动时的电流
B.线圈绕P1转动时的电动势小于绕P2转动时的电动势
C.线圈绕P1和P2转动时电流的方向相同，都是a→b→c→d
D.线圈绕P1转动时dc边受到的安培力大于绕P2转动时dc边受到的安培力
如图所示是一多匝线圈在匀强磁场中绕垂直于磁场的轴匀速转动所产生的感应电动势的图象，根据图象可知
A.此感应电动势的瞬时表达式为e=200sin(0.02t)V
B.此感应电动势的解时表达式为e=200sin(50πt)V
C.t=0.01s时，穿过线圈的磁通量为零
D.t=0.02s时，穿过线圈的磁通量的变化率为零
如图所示，粗糙水平桌面上有一矩形导体线圈，当一竖直放置的条形磁场从线圈中线AB正上方等高快速经过时线圈始终不动，则关于线圈受到的支持力及在水平方向运动趋势的正确判断是（ ）
A.支持力先变大后变小，运动趋势向左
B.支持力先变大后变小，运动趋势向右
C.支持力先变小后变大，运动趋势向左
D.支持力先变小后变大，运动趋势向右
关于感应电动势大小的正确表述是（ ）
A.穿过某导体框的磁通量为零时，该导体框中的感应电动势一定为零
B.穿过某导体框的磁通量越大，该导体框中的感应电动势一定越大
C.穿过某导体框的磁通量变化量越大，该导体框中的感应电动势一定越大
D.穿过某导体框的磁通量变化越快，该导体框中的感应电动势一定越大
图中能产生感应电流的是（ ）
A.
B.
C.
D.
如图所示，某透明材料物体的横截面为一半圆，其半径为R，以球心O为原点，水平直径所在的直线为x轴建立坐标系，半圆下方距坐标原点R处放置一个和x轴平行且足够长的光屏，相同单色细光束a、b平行于y轴且从与y轴相距
的位置射入该物体。已知该透明材料对这种单色光束的折射率n＝
，求：
(1)细光束射入该物体时的折射角；
(2)两束细光束照射到光屏上的两光点之间的距离。
