Question

N、P、As、Ga、Cr等元素化合物种类繁多，具有重要的研究价值和应用价值。请回答下列问题：

（1）N元素与Al、Si等元素在一定条件下生成AlN和Si₃N₄，实验测得二者在真空条件下的稳定存在的最高温度2200℃和1900℃，硬度类似金刚石，常用作耐高温和耐磨材料。请推测它们属于         晶体类型。

（2）PCl₃和PCl₅是磷元素形成的两种重要化合物，请根据价电子互斥理论推测PCl₃的空间构型           。

（3）As的核外电子排布式中不同类型(s、p、d、f等)的电子比是                。

（4）Cr元素价电子排布式为                。

（5）砷化镓以第三代半导体著称，性能比硅更优良，广泛用于雷达、电子计算机、人造卫星、宇宙飞船等尖端技术中已知砷化镓的晶胞结构如右图所示，则砷化镓晶胞结构与NaCl晶胞           (填“相同”或“不同”)。

（6）根据As和Ga在元素周期表中的位置判断，第一电离能As        Ga(填“＜”“＞”或“=”)。

（7）(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化类型为              。

Answer

（1）原子；（2）三角锥形；

（3）s电子：p电子：d电子=8：15：10；

（4）3d54s1；（5）不同；（6）＞；（7）sp2杂化；

【解析】

试题分析：（1）根据AlN和Si3N4，稳定存在的最高温度2200℃和1900℃，硬度类似金刚石，常用作耐高温和耐磨材料等性质推测它们属于原子晶体，故答案为：原子；

（2）PCl3 中P原子价层电子对个数是3且含有一个孤电子对，P采取sp3杂化，空间构型为三角锥形，故答案为：三角锥形；

（3）As为33号元素，核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p3，不同类型的电子比为s电子：p电子：d电子=8：15：10，故答案为：s电子：p电子：d电子=8：15：10；

（4）Cr是24号元素，价电子排布式为3d54s1，故答案为：3d54s1；

（5）GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故答案为：不同；

（6）同周期元素从左到右第一电离呈增大趋势，但第VA族大于第IIIA族，第IIA族大于第IIIA族，所以则第一电离能：As＞Ga，故答案为：＞；

（7）(CH3)3Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化，故答案为：sp2杂化；

考点：考查了物质结构与性质的相关知识。