Question

原子序数依次增大的X、Y、Z、G、Q、R、T七种元素，核电荷数均小于36。已知X的 一种1：2型氢化物分子中既有σ键又有π键，且所有原子共平面；Z的L层上有2个未成对电子；Q原子s原子轨道与P原子轨道电子数相等；R单质是制造各种计算机、微电子产品的核心材料；T处于周期表的ds区，原子中只有一个未成对电子．

(1)Y原子核外共有__________种不同运动状态的电子，T原子有__________种不同原子轨道的电子。

(2)X、Y、Z的第一电离能由小到大的顺序为__________(用元素符号表示)。

(3)Z与R能形成化合物甲，1mol甲中含__________mol化学键，甲与氢氟酸反应，生成物的分子空间构型分别为__________；

(4)G、Q、R氟化物的熔点如下表，造成熔点差异的原因为__________；

氟化物	G的氟化物	Q的氟化物	R的氟化物
熔点/K	993	1539	183

(5)向T的硫酸盐溶液中逐滴加入Y的氢化物的水溶液至过量，反应的离子方程式为__________。

Answer

(1)7；7；(2)C＜O＜N；(3)4；正四面体、V形；

(4)NaF与MgF2为离子晶体，SiF4为分子晶体，故SiF4的熔点低；Mg2+的半径比Na+的半径小、电荷数高，晶格能MgF2＞NaF，故MgF2的熔点比NaF高；

(5)Cu2++2 NH3•H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH3)4]2++2OH-。

【解析】

试题分析：X的一种1：2型氢化物分子中既有σ键又有π键，所有原子共平面，说明该氢化物中含有双键或三键，氢化物中乙烯中含有σ键和π键，且是1：2型氢化物，所以x是C元素；Z的L层上有2个未成对电子，则L层上有6个电子，所以Z为O元素；Q原子s能级与P能级电子数相等，则Q的电子排布为1s22s22p63s2，所以Q为Mg元素；R单质是制造各种计算机、微电子产品 的核心材料，则R为Si元素；T处于周期表的ds区，原子中只有一个未成对电子，则T为Cu元素；X、Y、Z、G、Q、R、T原子序数依次增大，Y为N元素；G能形成氟化物，且其原子序数小于Mg，则G为Na元素；

（1）Y为N元素，其电子排布图为：，所以其原子核外共有7种不同运动状态的电子；Cu原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s1，所以Cu原子有7种不同能级的电子，故答案为：7；7；

（2）C、N、O为同周期元素，同周期元素第一电离能从左到右依次增大，但是第IIA族与第IIIA族反常，第VA族与第VIA族反常，所以）C、N、O的第一电离能由小到大的顺序为：C＜O＜N，故答案为：C＜O＜N；

（3）Z与R能形成化合物甲为SiO2，1molSiO2中含4molSi-O，SiO2与氢氟酸反应，生成物为SiF4和H2O，分子空间构型分别为正四面体和V形；故答案为：4；正四面体和V形；

（4）不同晶体熔点的一般规律是：离子晶体的熔点＞分子晶体的熔点，离子晶体中半径越小，所带电荷越多，熔点越高，NaF与MgF2为离子晶体，SiF4为分子晶体，故SiF4的熔点低；Mg2+的半径比Na+的半径小、电荷数高，晶格能MgF2＞NaF，故MgF2的熔点比NaF高；故答案为：NaF与MgF2为离子晶体，SiF4为分子晶体，故SiF4的熔点低；Mg2+的半径比Na+的半径小、电荷数高，晶格能MgF2＞NaF，故MgF2的熔点比NaF高；

（5）向Cu的硫酸盐溶液中逐滴加入氨水至过量，开始生成氢氧化铜沉淀，后来沉淀溶解生成四氨合铜离子，其反应的离子方程式为：Cu2++2NH3•H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-，故答案为：Cu2++2 NH3•H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-。

【考点定位】考查原子核外电子的运动状态；元素电离能、电负性的含义及应用；化学键；判断简单分子或离子的构型

【名师点晴】题考查了元素的推断，涉及了电子的运动状态的判断，电负性的比较，物质熔沸点的比较，离子方程式的书写，考查的知识点较多。解题时注意半充满或全充满的情况：如Cr的电子排布式为24Cr原子的电子排布式是：1s22s22p63s23p63d54s1，而不是1s22s22p63s23p63d44s2，因为半充满轨道能量较低；又如25Mn原子的电子排布式是：1s22s22p63s23p63d54s2，而不是1s22s22p63s23p63d64s1。当外围电子在能量相等的轨道上形成全空（p0，d0，f0）、半满（p3，d5，f7）或全满（p6，d10，f14）结构时，原子的能量较低，元素的第一电离能较大。