下列措施一定能使反应速率加快的是
A．升高温度
B．加入生成物
C．缩小容器体积
D．增加反应物的物质的量
下列物质中既含有离子键又含有共价键的化合物是
A．NaCl B．H2O C．KOH D．CH3Cl
R+的结构示意图为
，则R元素在元素周期表中位于
A. 第三周期0族
B. 第四周期IA族
C. 第三周期IA族
D. 第三周期VIIA族
为测定某石灰石中CaCO3的质量分数，称取Wg石灰石样品，加入过量的浓度为6 mol/L的盐酸，使它完全溶解，加热煮沸，除去溶解的CO2，再加入足量的草酸按[（NH4）2C2O4］溶液后，慢慢加入氨水降低溶液的酸度，则析出草酸钙沉淀，离子方程式为：C2O42-+ Ca2+= CaC2O4↓，过滤出CaC2O4后，用稀硫酸溶【解析】
CaC2O4＋H2SO4＝H2C2O4+ CaSO4，再用蒸馏水稀释溶液至V0mL。取出V1mL用a mol/L的KMnO4酸性溶液滴定，此时发生反应2MnO4-+5H2C2O4=2Mn2++10CO2↑+8H2O，若滴定终点时消耗amol/L KMnO4V2mL，计算样品中CaCO3的质量分数。
晶体硅是一种重要的非金属材料，制备纯硅的主要步骤如下：
①高温下用过量的碳还原二氧化硅制得粗硅，同时得到一种可燃性气体；
② 粗硅与干燥的HCl气体反应制得SiCl3（Si+ 3HCl
SiCl3 + H2）
③ SiHC13与过量的H2在1100～1200℃的温度下反应制得纯硅，已知SiHCi3。能与水剧烈反应，在空气中易自燃。
请回答：
（1）第一步制取粗硅的化学反应方程式为_________。
（2）粗硅与HCl气体反应完全后，经冷凝得到的SiHCl3（沸点33.0℃ ）中含有少量SiC14 （沸点57.6℃）和HCl（沸点-84.7℃），提纯SiHC13采用的方法为________。
（3）实验室用SiHCl3 与过量的H2反应制取纯硅装置如图所示（加热和夹持装置略去）：
①装置B中的试剂是___________，装置C中的烧杯需要加热，目的是___________。
②反应一段时间后，装置D中观察到的现象是___________，装置D不能采用普通玻璃管的原因是___________，装置D中发生反应的化学方程式是___________。
③为保证制备纯硅实验的成功，操作的关键是检查实验装置的气密性，控制好反应温度以及___________。
单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用炭在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含铁、铝、硼、磷等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度450～500℃ ），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。
相关信息：① 四氯化硅遇水极易水解；② SIC14沸点为57.7℃ ，熔点为-70.0℃ 。请回答：
（1）写出装置A 中发生反应的离子方程式_______________。
（2）装置C 中的试剂是___________；装置F的作用是_______________；
装置E 中的h 瓶需要冷却的理由是_______________。
（3）装置E 中h 瓶收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中含有铁元素，为了分析残留物中铁元素的含量，先将残留物预处理，使铁元素还原成Fe2+，再用KMnO4标准溶液在酸性条件下进行氧化还原滴定。
① 反应的离子方程式：_______________。② 滴定前是否要滴加指示剂？_______________。（填“是”或“否”） ，请说明理由_______________。
③ 滴定前检验Fe3+ 是否完全还原的实验操作是_______________。
